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电子元器件详细资料 » IC[27654] » SI4418DY-T1-GE3
型号:SI4418DY-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)200V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C130 毫欧 @ 3A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs30nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装Digi-Reel®

供应商

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SI4418DY-T1-GE3相关型号

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